半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據霍爾系數的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能；通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、  連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環境等特點，在此前提下，手動測試是不可能完成的。

普賽斯儀表開發的霍爾效應測試系統可以實現幾千到至幾萬點的多參數自動切換測量，系統由S系列國產源表，2700矩陣開關和S型測試軟件等組成。可在不同的磁場、溫度和電流下根據測試結果計算出電阻率、霍爾系數、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應的測試。詳詢18140663476

需要測試的參數：

電阻率

霍爾系數

載流子濃度

霍爾遷移率特性曲線

范德堡法 

需要的儀器列表：

國產S型源表

開關

變溫器

可變磁場

軟件

普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態范圍、率先國產化的源表系列產品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發生器，波形發生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果。詳詢一八一四零六六三四七六；