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功率半導體測試高壓電源特點和優勢：
十ms級的上升沿和下降沿；
單臺最大3500V的輸出；
0.1%測試精度；
同步電流或電壓測量；
支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；詳詢18140663476
產品簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
應用領域：
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
更多有關功率半導體測試高壓電源詳情找普賽斯儀表專員為您解答，詳詢一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售的研發型高新技術企業。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯合更多行業客戶，共同助力我國第三代半導體行業高可靠高質量發展。
