GEIC695CPE310

降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的最高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象，限制它的抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作

GEIC695CPE310

IC695CPU310
IC695CPU315
IC695ETM001
IC695HSC304
IC695HSC308
IC695LRE001
IC695LRE001
IC695PMM335
IC695PMM335
IC695PSA040
IC695PSA140
IC695PSD040
IC695PSD040
IC695PSD140
IC695RMX128
IC697ACC624
IC697ACC701
IC697ACC702
IC697ACC735
IC697BEM711
IC697BEM713
IC697BEM731
IC697BEM731
IC697CHS791
IC697CMM711
IC697CMM742
IC697CPX782
IC697CPX782
IC697CPX935
IC697MDL241
IC697MDL653
IC697MDL740
IC697MDL750
IC697PWR711
IC697RCM711
IC697VRD008
IC697空殼模塊
IC698ACC735
IC698CHS009
IC698CPE010
IC698CPE030
IC698CPE040
IC698CRE030
IC698CRE030
IC698ETM001
IC698ETM001
IC698PSA100
IC698PSD300
IC698RMX016
IC754VSI06STD
IC754VSI12CTD
IC754VSL06CTD
JJR2132
JJR2320KW
JJR5250   JJR5-250KW
M27C256B-10B6
MVI69-MNET